Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）采用超短通道技术，扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。

MXT LV MOSFET（Magnachip eXtreme沟槽低压MOSFET）：Magnachip的12~40V沟槽MOSFET产品组合

超短沟道是Magnachip的最新设计技术，通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron（MOSFET在导通状态操作期间的电阻）。 新型 MOSFET 的 Ron 降低 24%~40%，提高了电池性能，并且在电池充电或放电时功率损耗较低。此外，Magnachip提供产品应用规格和电池容量的定制设计服务，MOSFET的尺寸可分别减小5%至20%。

凭藉技术能力、灵活的设计和紧凑的尺寸选项，扩展的 MXT LV MOSFET 系列可满足从可折叠手机到无线耳机等行动装置的各种技术要求。

Magnachip执行长 YJ Kim 表示：「Magnachip今年迄今已发布五款用於电池保护电路的新型 MXT LV MOSFET。我们将继续打造优质 MOSFET，为行动装置提供出色的功效和性能，以巩固在市场上的地位。」