随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技开发电压 650 V 以下的 SiC MOSFET 产品。继今年早先发布的第二代（G2）CoolSiC技术，英飞凌再推出全新 CoolSiC MOSFET 400 V 系列。全新 MOSFET 产品组合专为 AI 伺服器的 AC/DC 级开发，是对英飞凌近期公布的 PSU 路线图的补充。该系列元件也适用於太阳能和储能系统（ESS）、变频马达控制、工业和辅助电源供应（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。

CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源的功率密度和效率，现已发布产品组合的工程样品，将於 2024年10月开始量产。

与既有 650 V SiC 和 Si MOSFET 相比，新系列具有超低的导通和开关损耗。这款 AI 伺服器电源供应器的 AC/DC 级采用多级 PFC，功率密度达到 100 W/in³ 以上，并且效率达到 99.5%，较使用 650 V SiC MOSFET 的解决方案提高0.3 个百分点。此外，由於在 DC/DC级采用了CoolGaN?电晶体，其系统解决方案得以完善。透过这一高性能 MOSFET 与电晶体组合，该电源可提供 8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。

全新 MOSFET 产品组合共包含 10 款产品：5款R _DS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL 和 D ² PAK-7 封装以及 .XT 封装互连技术。在T_vj = 25。C 时，其汲极-源极击穿电压为400 V，适用於 2级和 3级转换器以及同步整流。这些元件在严苛的开关条件下具有高稳健性，并且通过100%的雪崩测试。高度稳健的 CoolSiC 技术与 .XT 互连技术相结合，使这些半导体元件能够应对 AI 处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态，并且凭藉连接技术和低正 R_DS(on) 温度系数，即便在接面温度较高的工作条件下，也能发挥出色的性能。

CoolSiC MOSFET 400 V 产品组合的工程样品现已发布，并将於 2024年10月开始量产。