根据Yole Group预测，氮化??（GaN）市场在未来五年内的年复合成长率将以46%成长。英飞凌科技推出两款新一代高电压（HV）与中电压（MV）CoolGaN产品，让客户可以在更广泛的应用领域中，采用 40 V 至 700 V 电压等级的GaN装置，推动数位化与低碳化进程。这两项产品系列均由英飞凌位於马来西亚的据点生产，采用英飞凌内部高效能的8 寸晶圆制程制造。藉此，英飞凌扩大CoolGaN的优势与产能，在GaN装置市场中确保强大的供应能力。而

英飞凌新一代 CoolGaN电晶体系列

「继去年英飞凌收购GaN Systems 并以此为基础，今天，我们再度在CoolGaN 产品宣布新的进展。」英飞凌电源与感测系统事业部总裁 Adam White 表示：「新一代 CoolGaN 系列高电压及中电压产品不仅体现英飞凌的产品优势，更完全采用 8 寸晶圆制程制造，展现 GaN 快速扩展至更大晶圆制程的能力。我很高兴看到我们的客户能够利用新一代 GaN 实现各种颠覆性的应用。」

全新 650 V G5 系列是英飞凌新一代 GIT 型高电压产品，适用范围涵盖消费性、资料中心、工业及太阳能应用。采用 8 寸制程的第二项新系列为中电压 G3 装置，包括电压等级 60 V、80 V、100 V 和 120V 的 CoolGaN 电晶体，以及 40 V 双向开关（BDS）装置。中电压 G3 产品的目标应用包含马达驱动、电信、资料中心、太阳能与消费性应用。CoolGaN 650 V G5 预计将於 2024 年第四季上市，中电压 CoolGaN G3 则将於 2024 年第三季开始供应。目前已开始提供样品。