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兼顾小型化且对应大功率! ROHM开始量产TOLL封装SiC MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto Jason Liu报导】   2025年10月28日 星期二

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半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列产品。与同等耐压和导通电阻的传统封装产品(TO-263-7L)相比,散热性提升约39%,虽然兼具小型化及薄型化,却能支援大功率。该产品非常适用於功率密度日益提高的伺服器电源、ESS(储能系统)、以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。

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与传统封装产品相比,新产品的体积更小更薄,元件面积削减了约26%,并且厚度减半,仅为2.3mm。另外很多TOLL封装的市场竞品的汲-源额定电压为650V,而ROHM新产品则达到750V。因此即使考虑到突波电压等因素仍可抑制闸极电阻,有助降低开关损耗。

产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻共6款机型,已於2025年9月开始量产(样品价格:5,500日元/个,未税),并开始透过电商平台销售。另外ROHM官网亦提供6款新产品的模拟模型,协助客户立即进行电路设计。

<开发背景>

在AI伺服器和小型PV Inverter等应用中,功率呈现日益提高的趋势,同时与之难以兼顾的小型化需求也与日俱增,因此功率MOSFET也必须具有更高的功率密度。特别是被称为「披萨盒」的超薄型电源,其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足上述市场需求,ROHM推出厚度仅为2.3mm、远低於传统4.5mm封装产品的TOLL封装SiC MOSFET。

<应用示例>

?工业设备:AI伺服器和资料中心电源、PV Inverter、ESS(储能系统)

?消费性电子:一般电源

<名词解释>

*1) 图腾柱型PFC电路

一种高效率的功率因数校正电路方式,透过MOSFET作为整流元件来降低二极体损耗。如采用SiC MOSFET,则可实现高耐压、高效率及支援高温运行的电源。

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