Cypress公司近日宣布推出新系列1-Mbit序列非挥发性静态随机存取内存（nvSRAM），以及内建实时频率（RTC）功能的新款4-Mbit与8-Mbit nvSRAM，提供计算机运算、工业、汽车、以及数据传输应用最佳解决方案。

Cypress nvSRAM

Cypress的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，硅氧化氮氧化硅）嵌入式非挥发性内存制造技术，创造出更高密度，并改善访问速度与效能。序列式nvSRAM系列产品内含1-Mbit组件，推出多重组态设定，并配备一个业界标准SPI接口。序列式nvSRAM提供底面积极小的8针脚DFN与16针脚SOIC封装，运作频率最高可达40 MHz，其中一款序列nvSRAM还整合一个实时频率组件。

Cypress平行式nvSRAM的访问时间仅有20奈秒（ns），提供无限次数的读、写、及召回（recall）能力，以及长达20年的数据保存期限。新款4-Mbit与8-Mbit nvSRAM整合一个实时频率组件，为备份的重要数据提供时间戳（time-stamping）功能，并具备一个可编程警报功能以及监控定时器。

Cypress的nvSRAM符合欧盟禁用物质防制法的规范（ROHS-compliant），能直接取代SRAM、电池供电的SRAM（BBSRAM）、以及EEPROM等组件，提供高速的非挥发数据储存功能而无须使用电池。当关闭电源时，系统会自动把SRAM的数据传送到非挥发组件。在电源启动时，数据会从非挥发性内存回存至SRAM。这两项作业都可透过软件来控制。nvSRAM不仅可节省电路板空间，还能降低设计复杂度。

Cypress的1-Mbit 序列nvSRAM组件提供128k x 8的组态设定，目前已开始量产。CY14B101Q1与CY14B101Q2组件皆提供8针脚DFN封装。内含实时频率的CY14B101P 序列组件以及CY14B101Q3 皆提供16针脚SOIC封装。

内含实时频率的4-Mbit nvSRAM提供512k x 8（CY14B104K）与256k x 16 (CY14B104M)组态设定，现已开始量产。而内含实时频率的8-Mbit nvSRAM，则可提供1024k x 8（CY14B108K）与512k x 16（CY14B108M）组态设定，目前已开始提供样本，并预计2010年第1季开始量产。4-Mbit与8-Mbit组件则可提供44针脚与54针脚的TSOP II封装。