Diodes日前推出12V微型P通道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助於提升電池效率和減少電路板空間，並滿足空間受限的可攜式產品設計要求，如智慧型手機和平板電腦等。

Diodes12V微型P通道强化型MOSFET以精密封裝，降低傳導損耗。

這款新MOSFET採用超精密和高熱效率的DFN1616封裝，並具有極低的導通電阻（RDS(on)），能把傳導損耗降至最低，以延長電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下，該MOSFET的導通電阻只有29mΩ，有利於電源中斷及一般負載開關的應用。

DFN1616的標準離板高度為0.5毫米，並僅佔2.56平方毫米的PCB面積。同時，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電（ESD）的增強保護。這款MOSFET的額定閘極保護為3kV，因此對人為產生的靜電放電所造成的影響有抵禦作用。