快捷半導體（Fairchild）近日開發出PowerTrench MOSFET元件FDMB2307NZ。該元件具有能夠縮小設計的外形尺寸，並提供所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超可攜式應用而設計，具有N通道共同漏極MOSFET特性，能夠達成電流雙向流動。

Fairchild開發PowerTrench MOSFET元件FDMB2307NZ，專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超可攜式應用而設計。

FDMB2307NZ採用PowerTrench製程，具有高功率密度，並在VGS=4.5V,ID=8A條件下具有最大16.5mΩ的Rss（on），從而獲得更低的導通損失、電壓降和功率損失。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能，使得系統工作溫度更低，進一步提高效率。

新元件採用2x3mm2MicroFET封裝，為設計人員帶來MLP解決方案，節省客戶設計的線路板空間。FDMB2307NZ滿足RoHS要求，而且具有>2kV的HBM ESD防護功能。快捷半導體利用電路技術整合在微型封裝中，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。