旭化成株式會社於2025年5月開發出全新感光幹膜「SUNFORT TA系列」可應用於AI伺服器等先進半導體封裝製造工藝。TA系列旨在應對快速增長的下一代半導體封裝市場需求，該系列產品不僅適用於傳統的Stepper曝光設備，還可對應LDI（鐳射直寫）曝光設備，在兩種曝光方式下均能實現極高的圖案解析度，有助於在封裝工藝中提升基板微細線路圖案的成型性能。

面向AI伺服器的重新佈線層實現進一步微細化，採用LDI曝光實現1.0μm寬度圖形

用於AI伺服器等先進半導體封裝的仲介層及封裝基板，除了須具備大面積、高多層的結構特性，對高密度微細線路的形成技術也有高要求。作為形成這些微細線路的再配線層（RDL），長期以來由於解析度的限制，液態光刻膠一直為主流材料。然而相較於液態光刻膠，感光幹膜在適配面板尺寸、易操作性、可同時對基板正反面進行處理等方面具有顯著優勢。儘管如此，由於解析度不足，感光幹膜一直未能應用於RDL的形成工藝中。

TA系列產品是基於感光性材料技術和全新的材料設計開發而成，在RDL形成所需的4μm節距設計條件下，可通過LDI曝光實現形成1.0μm線寬的圖案，適用於面板級封裝等微細配線形成的感光幹膜材料。所形成的微細光刻圖案，經過SAP（加成法）電鍍圖案形成工藝以及後續光刻膠剝離步驟後，可在4μm節距設計條件下實現形成3μm線寬的電鍍圖案。此外，微細線路形成工藝趨向多樣化，TA系列可對應傳統的Stepper曝光方式，提供新的選擇。