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意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET

意法半导体(STMicroelectronics,ST)推出采用先进PowerFLATTM 5x6双面散热(Dual-Side Cooling,DSC)封装的MOSFET电晶体,新品可提升汽车系统电控单元(Electronic Control Unit,ECU)的功率密度,已被汽车零配件大厂电装株式会社(Denso)所选用,该公司提供全球所有主要车厂先进的汽车技术。


图一 : ST采用先进PowerFLATTM 5x6双面散热封装的MOSFET电晶体,新品可提升汽车系统电控单元的功率密度,已被汽车零配件大厂电装株式会社(Denso)所选用。
图一 : ST采用先进PowerFLATTM 5x6双面散热封装的MOSFET电晶体,新品可提升汽车系统电控单元的功率密度,已被汽车零配件大厂电装株式会社(Denso)所选用。

STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率电晶体,可用於汽车马达控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLAT 5x6 DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计,同时将顶部的源极显露於在外部,以进一步提升散热效率,这样设计让内部晶片有更高的额定输出电流,并提升功率密度,让设计人员能够研发更小的电控元件,而无需在功能、性能和可靠性之间做出取舍。


新款STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG最大吸极电流(drain current)为120A,而最大导通电阻则分别是1.5 m?和3.0 m?,其确保高效、简化系统热管理。此外,总栅电荷分别为172nC和91nC,元件本身电容极低,这有助於在高速开关时提升效能。
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