Cypress新4-Mbit nvSRAM采0.13微米SONOS制程

Cypress公司发表一款全新4-Mbit非挥发性静态随机存取记忆体（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具备15奈秒(ns)的存取时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色，十分适合需要持续高速写入资料，与绝对非挥发资料安全等应用，包括：RAID的应用、环境严苛的工业控制、以及在汽車、医療、數据通讯系统中的资料记錄功能。nvSRAM为快速、非挥发性记忆体提供最隹替代方案。相较於电池备援的SRAMS，nvSRAM所需电路板空间更少、设计复杂度更低，而且比MRAM或铁电记忆体（FRAM）更为经济实惠。此最新nvSRAM产品也是Cypress所推出一系列nvSRAMs中的最新产品，包括256K-与1-Mbit的nvSRAM元件，并且皆已量产供货中。预计在2008年上半季将会陸续发表更多产品。

图一 : Cypress全新4-Mbit nvSRAM

此款全新4-Mbit nvSRAMs采用Cypress的S8 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非挥发性记忆体技术，具备更高密度，并能改善存取时间与效能。Cypress为SONOS制程技术之領导厂商，未來亦会将S8技术运用在下一世代的PSoC混合讯号阵列、OvationONS雷射导引感测器（navigationsensors）、可编程时脉以及其他产品上。SONOS除了高度相容於标准型CMOS技术外，还具备许多优点包括：高耐用度、低功耗、抗輻射。此外，与其他嵌入式非挥发性记忆体技术相较，SONOS可提供更稳定、兼具量产规模与经济效益的解决方案。

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