根据《nature》期刊，氮化??Micro-LED阵列亮度突破10?尼特，实现高达1080×780像素的高密度微型显示器。这一突破克服了晶圆级高质量磊晶生长、侧壁钝化、高效光子提取和精巧的键合技术等长期挑战，为AR/VR设备、可穿戴设备和下一代消费电子产品带来巨大优势。

采晶圆级制造的GaN-on-Si Micro-LED显示器，解析达1080?×?780 像素，且具高亮度、高密度 (3400 ppi)性能（source:Nature）

这篇由 Vineeth K. Bandari 和Oliver G. Schmidt撰写的论中文指出，绿色Micro-LED的开发一直面临挑战，特别是当像素尺寸缩小到10?μm以下时，实现高亮度和效率变得更加困难。这也是LED领域广泛存在的「绿色缺囗」现象的一部分，即绿色LED的性能落後於蓝光和红光LED。

近期，研究人员利用矽基板上晶圆级均匀氮化??磊晶层，开发出超高亮度绿色Micro-LED，实现高达3400ppi的像素密度和超过10?尼特(cd/m2)的亮度，取得了显着突破。

其关键技术在於，实现了高质量氮化??磊晶层，他们透过表面活性剂介导的生长和精确的应变工程，在矽基板上生长出高质量的氮化??磊晶层，减少了位错密度和晶圆弯曲。

再者，则是原子级侧壁钝化，研究人员利用氢氧化钾平滑Micro-LED像素的侧壁，并通过原子层沉积技术应用50nm Al2O3层，修复蚀刻过程中产生的缺陷，提高光子提取效率。

而在组装与整合上，该研究采用非对准键合技术将Micro-LED与矽基CMOS电路集成，实现了高解析、高亮度、高密度的显示器。

在应用上，超高亮度Micro-LED为AR/VR设备、可穿戴技术、汽车显示器和先进的行动设备等应用带来新的可能性。而采用矽基板也提高了可扩展性，降低了成本，使其更适合大规模消费应用。

此外，高亮度、高解析和与CMOS电路的整合，使Micro-LED成为下一代微型显示器的理想选择，应用於AR/VR头戴式设备、抬头显示器和其他近眼显示系统。