茂硅与安森美等合资成立功率IC设计公司一案，原本预计于九月中签约，但因承办该案的美国律师事务所所在地世贸第七大楼，在九一一事件中受纽约世贸双子星大楼倒塌波及，合资三方已签署的部份文件遗失，在茂硅提供备份文件并再签署后，延宕多时的合资案预计在本周内完成签约。

OnMOS初期资本额约八千五百万美元，茂硅占40％股权，安森美占五一％股权，AATI则投资约9％。该公司将自明年起由茂硅主导再进行一亿美元的投资，并拟于2003年在美国那斯达克上市，上市后安森美则会淡出股份，亦即茂硅将于该公司上市后才实际取得合资公司经营主导权。

根据茂硅与安森美的规划，合资公司OnMOS初期将以开发每平方吋三亿个以上晶格(cell)的功率IC为主，目前已在茂硅六吋厂投片试产，第四季就可开始下三千片订单，预计明年中总投单量可达每月二万片规模，约占茂硅六吋厂六成产能。因此茂硅未来也将开始为安森美代工，亦即明年中后茂硅六吋厂将有八成以上产能生产功率IC。

至于原本也投单在六吋厂生产LCD驱动IC的茂硅转投资公司敦茂科技，因近来LCD驱动IC市场供过于求，因此第四季下单至六吋厂的数量骤降，而在成本与技术考虑下，敦茂已决定与大股东夏普合作，至2003年时将制程技术推进至0.25微米，并改于八吋厂生产。