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ST BCD製程技術獲頒IEEE里程碑獎 長跑35年第十代即將量產
 

【CTIMES/SmartAuto 吳雅婷 報導】   2021年05月24日 星期一

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意法半導體(ST)宣布,電機電子工程師學會(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半導體IEEE里程碑獎,表彰ST在超級整合矽閘半導體製程技術領域的創新研發成果。ST的BCD技術可以單晶片整合雙極製程高精密類比電晶體、CMOS製程高性能數位開關電晶體和高功率DMOS電晶體,滿足高複雜度、大功率應用的需求。多年來,BCD製程技術已賦能硬碟驅動器、印表機和汽車系統等終端應用獲得重大技術發展。

在意法半導體Agrate工廠的即時/線上揭牌儀式中,IEEE義大利分部人道主義活動委員會協調人暨前秘書Giambattista Gruosso,以及意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。

ST率先採用單晶片整合雙極型電晶體、CMOS電晶體和DMOS電晶體(BCD)的超級整合矽閘極製程,解決複雜、具大功率需求的應用設計挑戰。首個BCD超級積體電路L6202可控制最高60V-5A的功率,開關頻率300kHz。隨後汽車、電腦和工業自動化也逐漸採用這項製程技術,讓晶片設計人員能靈活、可靠地以單晶片整合功率、類比和數位訊號處理電路。

IEEE於1983年建立了里程碑計畫,表彰獨特的產品、服務或具影響力的論文和專利所帶來的技術創新和卓越成就。每個里程碑獎都認可一項重要的技術成就,必須在IEEE提出的技術領域具備至少25年的發展,而且至少具備地區性的影響力。目前IEEE在全球審核並頒發了約220個IEEE里程碑獎。

80年代初期,意法半導體工程師開始尋找可靠的方法來解決各種電子應用問題,首先在一顆單晶片上整合了異質電晶體和異質二極體,隨後更著眼於多個細分市場的客戶需求,成功在數位邏輯的控制下提供數百瓦的電力,讓控制邏輯技術得以順利遵循摩爾定律。目標元件還將支援精密類比功能,並最大程度地降低功耗,無需使用散熱器。

這些研發的最終成果就是新的整合矽閘技術BCD(雙極、CMOS、DMOS),它利用複雜的連線方法在單個晶片上整合二極體、雙極線性電晶體、複雜CMOS邏輯和多個DMOS功率電晶體。BCD首個晶片是L6202馬達全橋驅動器,電壓為60V,電流1.5A,開關頻率300kHz,達到所有設計目標。

自推出BCD製程至今,ST已售出多達400億顆矽閘多功率BCD元件/晶片,第十代BCD技術也即將開始量產。在歐洲和亞洲,這項BCD技術被廣泛用於車子用系統、智慧型手機、家電、音訊放大器、硬碟、電源、印表機、微型投影機、照明、醫療設備、馬達、數據機、顯示器等。

意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示:「到現在,已經過去35年並經歷了九次技術反覆運算,我們產出500萬片晶圓,並售出400億顆晶片—僅去年一年就銷售近30億顆晶片。能夠得到此一IEEE里程碑獎就意味著ST的BCD技術將被寫進推動人類發展的科技史冊,對此,我們的自豪無以言表。」

意法半導體IEEE里程碑獎的牌匾將放置於ST在義大利米蘭市近郊之兩個工廠的大門口,包含Brianza的Agrate工廠和米蘭的Castelletto,兩間都曾經承擔多矽閘多功率BCD開發運作。

關鍵字: 單晶片  功率元件  數位控制  CMOS  ST(意法半導體
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