韩国SK海力士公开展示12层HBM4及16层HBM3E技术。此次展示的HBM4容量最高可达48 GB，频宽为2.0 TB/s，I/O速度为8.0 Gbps，并预计於2025年下半年开始量产。

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同时亮相的还有全球首款16层HBM3E，其频宽达到1.2 TB/s。SK 海力士声称，透过Advanced MR-MUF和TSV技术实现此高密度的堆叠，并有??成为相关技术的先驱。据悉，此HBM3E标准将应用於辉达的GB300 Blackwell Ultra AI丛集，而辉达的Vera Rubin架构则预计采用HBM4。

此外，SK海力士还展示了一系列基於最新1c DRAM标准的高效能伺服器记忆体模组。这些模组包括传输速度达12.8 Gbps，容量分别为64 GB、96 GB和256 GB的MRDIMM产品线；传输速度为8 Gbps，容量分别为64 GB和96 GB的 RDIMM模组；以及一款256 GB的3DS RDIMM。