日前，为满足对可携式设备中更小组件的需求，Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET，该组件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类组件中最薄厚度及最低导通电阻。

Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积。这也是在1.2V额定电压时提供导通电阻的首款此类组件。该新组件的典型应用将包括手机、PDA、数字相机、MP3播放器及智能电话等可携式设备中的负载开关及电池保护。

Si8441DB提供了1.2V VGS时0.600Ω至4.5V VGS时0.080Ω的导通电阻范围，且具有最高±5V的栅源电压。1.2V额定电压时的低导通电阻降低了对电平位移电路的需求，从而节约了可携式电子设计中的空间。

日前还推出了采用相同MICRO FOOT封装的20V p信道Si8451DB。Si8451DB的最高额定栅源电源为8V，其导通电阻范围介于1.5V时0.200Ω至4.5V时0.080Ω，这是迄今为止具有这些额定电压的组件所实现的最佳值。

随着可携式电子设备的体积越来越小，以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小MOSFET封装—这恰恰是Si8441DB及Si8451DB所具有的特点。