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Atmel将闪存微控制器性能提高至200MIPS
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年03月04日 星期二

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Atmel(爱特梅尔)推出内建ARM9核心的AT91SAM9XE系列样品,整合了性能达200MIPS的ARM926EJ-S处理器内核、与512k字节高性能闪存的第一代单芯片闪存微控制器。

SAM9XE系列经过特别设计,能够充分利用专为爱特梅尔基于ARM7的SAM7系列而开发的接口设备和技术。此外,全新的SAM9XE系列与SAM7系列采用相同的支持架构,能够让两个微控制器系列之间顺利和轻松地迁移。

爱特梅尔ARM产品市场经理Jacko Wilbrink指出:「SAM9XE系列将爱特梅尔在ARM闪存MCU方面的领导地位从ARM7领域扩展到ARM9领域。SAM9XE系列是建立在公认的架构和接口设备基础上,可以为不断成长的客户群提供新的性能、功能和成本。」

SAM9XE系列提供多种联网/连接选项,包括多个USB 2.0全速主机和设备端、一个以太网络的10/100Base-T MAC、一个双插槽的多媒体卡接口(SDCard/SDIO及MultiMediaCard Compliant)、一个同步串行接口(SSC)、四个USART、两个主/从串行接口设备接口(SPI)、一个除错的UART和两个双线接口(TWI)。

SAM9XE所采用的6层系统总线矩阵可连接到处理器内核的内存管理单元,以及USB主机上的分布式DMA和以太网络和影像传感器接口,以便以最少的处理器负担来确保内部数据传输不会中断。这种概念通过与USB设备和所有其它I/O进行通信的接口设备DMA控制器(PDC),扩展到应用于接口设备数据传输。这种业界领先的分布式DMA架构能确保内部数据传输尽可能得到最大的带宽,而对处理器的干扰则最小;因此可让SAM9XE在高速传输数据的同时处理复杂数据。

關鍵字: Flash  Atmel  微控制器  闪存 
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