英飛凌科技與美商國際整流器公司（International Rectifier，IR）共同宣佈，英飛凌將取得國際整流器公司授權使用該公司獲得專利的先進功率管理封裝技術DirectFET。

DirectFET的設計專門運用在電腦、筆記型電腦、通訊及消費性電子裝置的AC-DC及DC-DC功率轉換應用上，DirectFET功率封裝是一項產業優先的表面黏著式（surface-mount）功率MOSFET封裝技術，在一塊相當於SO-8電路板或更小面積上，頂端的冷卻效率佳。比起標準的塑膠離散封裝（plastic discrete package），DirectFET的「metal can」架構具備雙側面冷卻（dual-sided cooling），能有效地加倍高頻率DC-DC降壓轉換器（buck converter）的電流處理容量。

英飛凌將在OptiMOS 2及OptiMOS 3晶片技術上佈署DirectFET功率封裝技術，預計從2008年初開始以DirectFET封裝試產OptiMOS 2。

IR的企業功率事業部（Enterprise Power business unit）副總裁Tim Phillips指出：「透由佈署這項獨特的雙側面冷卻設計，IR的DirectFET封裝技術是您在進階計算、消費性及通訊應用上，縮小設計電路板面積的同時，降低能量損耗的最佳解決方案。本公司持續努力開發最先進技術，致力於節省能源，而經由授權同意書，這項創新的DirectFET技術更能擴大節省能源的影響力，進一步擴展本公司在功率管理這個最大市場區塊的市佔率。」

英飛凌科技的功率管理及驅動器事業部（Power Management and Drives business unit）資深副總裁暨總經理Arunjai Mittal指出：「有了這份同意書，英飛凌繼續擴充功率半導體的產品組合。採用各種適用於廣泛應用的封裝選項，並結合了本公司極為成功的OptiMOS晶片，電源供應的設計工程師在已知的應用上，能獲致能源效率及成本效益的雙重解決方案。將OptiMOS 2及OptiMOS 3裝置的優異特性套用在雙側面冷卻功能的封裝上，將更強化英飛凌在功率轉換市場屹立不搖的地位。」