【德国慕尼黑讯】英飞凌科技 (Infineon) 推出OptiMOS线性FET系列产品，结合了先进沟槽式MOSFET的导通电阻(RDS(on)) 与平面型MOSFET的宽广安全操作区域，解决了需在RDS (on) 和线性模式功能间抉择的难题。新款OptiMOS线性FET可以在强化模式MOSFET的饱和区运作，适用於电信及电池管理系统(BMS)中常见的热??拔、电子熔丝和保护应用。

新款OptiMOS线性FET系列产品结合先进沟槽式MOSFET的导通电阻(RDS(on)) 与平面型MOSFET的宽广安全操作区域。

稳固的线性模式运作和高脉冲电流，可降低传导损耗、加速启动，并缩短停机时间。OptiMOS线性FET可限制高涌浪电流，预防短路时发生负载损坏。

OptiMOS线性FET目前提供三种电压等级：100 V、150 V和200 V，皆采用D2PAK 或D2PAK 7pin封装。上述业界标准封装具有相容尺寸，方便直接替换。

英飞凌OptiMOS线性FET目前提供三种电压等级：100 V、150 V 和 200 V，皆采用 D2PAK 或 D2PAK 7pin 封装。上述业界标准封装具有相容尺寸，方便直接替换。