Diodes近日宣布，推出第一批采用其微型PowerDI5表面安装封装的双极晶体管。应用Diodes第五代矩阵射极技术，这些率先问世的12款NPN和PNP晶体管，能够为设计人员大幅提高功率密度和减少解决方案的体积。

PowerDI5的面积只有26平方毫米，电路板空间比SOT223封装减少47%，也比DPAK封装减少了60%；并且，离板高度只有1.1毫米的PowerDI5，相较于1.65毫米高的SOT223封装和2.3毫米高的DPAK封装显得更加轻薄。

PowerDI5最小的铜板电功率额定值（minimum copper power rating）为0.74W。它在25 x 25毫米的铜和FR4物料上的75ºC/W额定热电阻提供了1.7W的电功率，使其在热性能的表现上遥遥领先，并取代了SOT223封装在许多应用上的地位。

第一批采用新型PowerDI5封装的NPN和PNP晶体管，适用于数据通讯、电信、马达驱动和电池充电器等相关应用上。

新型组件DXT2013P5、DXT2014P5和DXTP03200BP5的额定电压分别为100V、140V和200V。它们的低饱和电压和具有快速切换开关的特性，有助于改善用户接线口电路的直流–直流转换器（SLIC DC-DC converter）效率。在线性电池充电器中，具有低饱电压的20V DXTP19020DP5能够确保充电器即使在较低的输入电压下，也能够把电池完全充满。

额定电压为100V的DXTN07100BP5，透过小巧的封装体积和低热阻满足48V稳压器应用的需要；DXT5551P5则可作为电信线性驱动器，在需要比较高电压的环境下，满足长距离通讯线路的需求。