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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
(圖一)Magnachip瞄準電動汽車市場，推出採用先進場截止溝槽技術的新型 1200V 和 650V IGBT |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
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安森美美國碳化矽工廠落成 提供客戶必要供應保證 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美國時間8月11日舉行了剪綵儀式，慶祝其位於新罕布什爾州哈德遜（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工廠的落成。
該廠區將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數也將成長近四倍 |
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安森美美國碳化矽工廠落成 提供客戶必要供應保證 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美國時間8月11日舉行了剪綵儀式，慶祝其位於新罕布什爾州哈德遜（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工廠的落成。
該廠區將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數也將成長近四倍 |
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東芝新建12吋晶圓廠 擴大功率半導體產能 (2022.02.06)
東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓製造廠，主要用於生產功率半導體。該廠預計於2024財年開始量產，整體供應的產能將會是目前的2.5倍。
東芝指出，新晶圓廠的建設將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在 2024 財年開始 |
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東芝新建12吋晶圓廠 擴大功率半導體產能 (2022.02.06)
東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓製造廠，主要用於生產功率半導體。該廠預計於2024財年開始量產，整體供應的產能將會是目前的2.5倍。
(圖一)
東芝指出，新晶圓廠的建設將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在 2024 財年開始 |
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盛美半導體推出大功率元件製造的薄片清洗設備 零接觸製造優化良率 (2020.09.23)
半導體製造與先進晶圓級封裝設備供應商盛美半導體設備近日推出了新款薄型晶圓清洗系統，這是一款高產能的四腔系統，可應用於單晶圓濕法製程，包括清洗、蝕刻、去膠和表面濕法減薄 |
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盛美半導體推出大功率元件製造的薄片清洗設備 零接觸製造優化良率 (2020.09.23)
半導體製造與先進晶圓級封裝設備供應商盛美半導體設備近日推出了新款薄型晶圓清洗系統，這是一款高產能的四腔系統，可應用於單晶圓濕法製程，包括清洗、蝕刻、去膠和表面濕法減薄 |
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安森美半導體推出先進汽車照明的LED驅動器和控制器 (2020.02.05)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）推出由四個裝置組成的新系列，促進汽車廠商和消費者現在所期望的汽車外部和內部照明的高水平性能和創新功能。新系列專門針對低功率固態照明，包括兩個LED驅動器（NCV7683和NCV7685）和兩個電流控制器（NCV7691和NCV7692） |
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安森美半導體推出先進汽車照明的LED驅動器和控制器 (2020.02.05)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）推出由四個裝置組成的新系列，促進汽車廠商和消費者現在所期望的汽車外部和內部照明的高水平性能和創新功能。新系列專門針對低功率固態照明，包括兩個LED驅動器（NCV7683和NCV7685）和兩個電流控制器（NCV7691和NCV7692） |
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Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體，採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小，可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路，提供更高的功率密度設計 |
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Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體，採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小，可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路，提供更高的功率密度設計 |
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Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能 |
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Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能 |
