联华电子今（3）日宣布，40奈米RFSOI制程平台可供量产毫米波（mmWave）的射频（RF）前端制程产品，推动5G无线网路的普及，与包括在智慧手机、固定无线接入（FWA）系统和小型基地台等方面的应用。

联电的40奈米RFSOI制程平台针对射频开关、低噪音放大器和功率放大器进行优化，能够处理更宽的毫米波频段，并且达到在毫米波模组中含括更多射频元件的需求，以提供客户将波束形成器、核心和被动元件以及前端元件整合在单一射频晶片的解决方案。

联电技术开发部执行处长马瑞吉（Raj Verma）表示：「5G的发展取决於毫米波的布建，以提供虚拟和扩增实境（VR/AR）、智慧城市、工业自动化和健康医疗应用所需的速度与能力。联电随着40奈米RFSOI平台的推出，扩展射频技术的组合，协助客户将其先进的5G装置推向市场，并在持续成长的毫米波市场掌握商机。目前已有几家客户洽谈中，为其射频前端产品制订客制化的40奈米RFSOI制程，预计2024年开始量产。」

联电提供完整的射频前端模组解决方案，包括行动通讯、Wi-Fi、车用、物联网和卫星通讯等不同市场应用服务，RFSOI系列的解决方案以8寸和12寸晶圆生产；至於联电的55奈米RFSOI制程已投产多年，服务5G sub-8GHz市场。