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【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2009年11月17日 星期二

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美商亚德诺公司(ADI)于周一(11/16)宣布,推出全新的高速18伏特 MOSFET驱动器家族,能提供2A 与4A 的峰值电流。其具有14ns至35ns(毫微秒)的最低传播延迟以及10ns至25ns的边缘上升 / 下降时间。

全新的ADP 36xx MOSFET驱动器家族,其过热保护功能、电压过低锁定 (UVLO) 功能与精密关闭能力,将能使系统的保护性与可靠性获得改善。这些驱动器可以用来补强PWM控制器,进而改善系统的效率,同时使隔离式电力转换与马达控制系统应用领域当中的高切换频率得以实现。

这个高电流驱动、双高速18伏特驱动器的新家族,能够驱动两组独立的N信道电力MOSFET,并且采用业界标准的封装尺寸。此外,这些组件具有内部的温度传感器,提供两种位准的过热保护功能:在极端接合点温度下的过热警告以及过热关闭。藉由精密的内部比较器所产生的关闭功能,提供了允许多余过电压保护的快速系统致能或是关闭,补强了开关器的保护功能。

另外,此驱动器输入电压范围广,能够与模拟式和数字式 PWM 控制器兼容。数字电力控制器乃是由低电压电源提供电力,而驱动器则是由较高电压的电源提供电力。与低电压数字控制器搭配使用时,UVLO 以及磁滞功能允许较高电压电源供应的安全启动与关闭。该组件家族采用耐热度增强的SOIC_N_EP以及MINI_SO_EP封装,藉以使其在小区域PCB中的高频率驱动能力最大化。

關鍵字: MOSFET  PWM  ADI 
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