针对驱动行动通讯、设计及制造高效能无线电系统及解决方案的厂商RF Micro Devices,Inc.，近日发表RF393X家族的48V氮化镓（GaN）功率晶体管。RF393X产品系列可提供从10W到120W的功率效能，并具备非常宽广的可调谐带宽－展现RFMD GaN技术相对于竞争GaAs及硅晶LDMOS技术之高功率与频寛之优质结合。

RFMD的RF393X产品系列包含5款48V GaN非匹配功率晶体管，而每一款均提供14dB至16dB范围之增益，以及于2.1GHz时高于65%的高峰值汲极效率。RFMD GaN功率晶体管的优異效能特性，使其成为寛频、高效能功率放大器应用的理想选择，例如：广播电视、无线基础架构、高功率雷达、航天电子设备等。RFMD估计GaN高功率半导体的总体目标市场约为十亿美元，其中，GaN非匹配功率晶体管约为一亿五千万美元。该公司目前已与多重市场中之顶级客户进行合作，并预计于2007年下半年开始量产。

RFMD目前正开发三个高电压GaN产品系列。除Gan功率晶体管之外，该公司亦正开发高功率GaN RF积体电路（RFIC）以及高功率GaN匹配晶体管。高功率GaN RFIC能与高功率放大器完全匹配，其于多重八度音频寛皆能提供高效率，且适用于军事通讯、公众行动无线电以及软件定义无线电（SDR）。此高功率GaN匹配晶体管包括内部匹配组件以提升阻抗和效率，并且适合如高功率雷达和针对WCDMA和WiMAX的基础架构应用。