帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌全新CoolSiC MOSFET實現無需冷卻風扇的伺服驅動方案
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年11月16日 星期一

瀏覽人次:【3128】

英飛凌科技支援機器人與自動化產業實作免維護的馬達變頻器,今日宣布推出採用最佳化D2PAK-7 SMD封裝、搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務。此裝置能夠在伺服驅動器解決方案的各種額定功率實現高效率,其他受惠於此SMD裝置的應用包括精簡的充電基礎設施及工業電源供應器。

搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務。
搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務。

英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer表示:「無冷卻風扇的自動化解決方案在節省維護作業與材料方面,開啟了新局。藉由結合CoolSiC溝槽式MOSFET晶片與.XT互連技術,可提升小尺寸封裝的散熱與循環能力。這也有助於將驅動器精簡地整合進馬達或機器人手臂。」

伺服驅動器是製造設備馬達的「啟動器」,SiC MOSFET的電阻傳導損耗及可完全控制的切換暫態,能夠完美配合這類馬達的負載曲線。系統損耗可望降低80%,相同EMC等級的IGBT解決方案(dv/dt為5至8V/ns時)也不例外。全新CoolSiC MOSFET SMD裝置的短路承受時間為3μs,符合電感器相對小且纜線較短的伺服馬達的需求。

此全新產品組合額定值介於30mΩ至350mΩ。.XT技術透過晶片封裝互連能力,較標準封裝可額外散發30%的損耗。CoolSiC .XT產品組合具備同級最佳的熱效能與循環能力,因此相較標準技術,輸出電流可增加14%、切換頻率加倍、操作溫度可降低10至15度。

D2PAK-7封裝的1200V CoolSiC MOSFET現已開放訂購。英飛凌預計在2021年將此SMD封裝產品組合延伸至650V,並提供超過18種全新產品(RDS(on) 25至200mΩ)的工程樣品。

關鍵字: MOSFET  Infineon(英飛凌
相關產品
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度
英飛凌全新PSoC車規級 微控制器系列支援第五代 CAPSENSE技術
  相關新聞
» SEMI:2024年首季全球矽晶圓出貨總量下滑5%
» 未來移動趨勢前瞻 貿澤智慧車載技術論壇即將開跑
» 慧榮科技調高2024全年財測 擴展SSD和eMMC/UFS控制晶片
» 南臺科大攜手奇美醫院成立聯合研究中心 以發展智慧醫療、運動科技為目標
» Broadcom推動VMware生態圈標準化 為合作夥伴創造價值
  相關文章
» 樹莓派推出AI攝影機、新款顯示器
» 以爆管和接觸器驅動器提高HEV/EV電池斷開系統安全性
» 生成式AI引爆算力需求 小晶片設計將是最佳解方
» PCIe傳輸複雜性日增 高速訊號測試不可或缺
» 揮別續航里程焦慮 打造電動車最佳化充電策略

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.17.203.68
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw