Diodes公司推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品透过减少组件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化马达驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用马达驱动应用的要求；30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相位风扇应用。

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DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把双N信道和双P信道MOSFET整合到占位面积仅为5mm x 6mm 的单一SO-8封装，成为完整的H桥。新产品替代尺寸相当于4个SOT23封装或两个SO-8封装的组件，适用于多种受空间限制的汽车和工业应用，包括低功率直流无刷马达驱动器和风扇控制，并且满足驱动电感负载的类似要求。

两款H桥节省空间的成效与MOSFET的低导通电阻效能相辅相成，40V N信道组件在10V VGS的电压下一般只有45（微奥姆）的电阻；40V P信道组件的电阻在-10V VGS 的电压下则为65（微奥姆）。组件的低导通电阻可把导通损耗降到最低，从而能够在马达堵转的情况下承受较高的持续电流。这些30V及40V额定值的H桥在摄氏+70度的高温操作环境下，可分别提供3A和2A的持续电流，以适应最坏情况下的马达堵转电流。