东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司宣布针对高效率电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET。 「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的「π-MOSVIII系列」相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。

东芝针对高效率电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET..

该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的晶片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，伺服器、笔记型电脑配接器和充电器以及行动装置的备用电源以及LED照明灯具的电源。出货即日启动。