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Cree谋转型发展碳化矽 独霸SiC晶圆市场
全球碳化矽业者技术与策略观察专栏(一)

【作者: 約書亞】2021年07月14日 星期三

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过去半导体材料主要以第一代的矽(Si)晶圆的生产制造为主。然而,现今随着5G通信、新能源汽车等应用市场的强势崛起,现有以矽为基础(Si-based)的半导体器件,因材料的物理特性已达极限,无法再提升电量、降低热损、提升速度,因此需朝向其他更能发挥电子传输效率与低能耗的材料演进,而具备高能效、低能耗的第三代宽能隙(Wide Band Gap;WBG)半导体就在此背景之下因应而生。


相较于第一代半导体材料的矽(Si)与第二代半导体材料的砷化镓(GaAs),碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)等第三代宽能隙半导体材料拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性,更适合5G基地台、电动车充电桩等应用领域。


碳化矽市场规模不断增长
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