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解锁新一代3D NAND快闪记忆体的垂直间距微缩
气隙整合与电荷捕捉层分离:增加字元线层数的关键技术

【作者: imec】2025年07月15日 星期二

浏览人次:【3564】

LNAND快闪记忆体:业界主要的储存技术

NAND快闪记忆体(NAND Flash)自1980年代晚期引进记忆体市场,持续不断推动我们存取大量资料方式的革命性变革。这项热门的记忆体技术在架构上锁定高密度资料储存进行优化,可见於所有主要的终端电子装置市场,包含智慧手机、资料伺服器和个人电脑。你也能在SD记忆卡和UCB随身碟等最方便拆卸与可携式的记忆体装置内发现这项技术。


这种记忆体具备非挥发性,能够存取照片、影片、音档、封存电子信件及其他元件长达十年。最近,NAND快闪记忆体技术也在人工智慧(AI)和机器学习(ML)扮演重要角色。例如,透过提供有效率的储存设备来满足训练AI模型所需的大量资料。
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