台积电终于在今年第一季的法人说明会里，透露了其3奈米将采取的技术架构，而出乎大家意料的，他们将继续采取目前的「FinFET」电晶体技术。而这代表了台积电的制程微缩能力远超乎市场想像，3奈米仍不是其极限所在。

当制程下探，电路无可避免的会遭遇到控制的困难，产生如漏电、电压不稳定等的短通道效应（Short-channel Effects）。而为了有效抑制短通道效应，尽可能的增加电路的面积，提高电子流动的稳定性，就是半导体制造业者重要的考量，而鳍式电晶体（FinFET）架构就因此而生。

FinFET运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。但这个立体结构的微缩也非无极限，一但走到了更低的制程之后，必定要转采其他的技术，否则摩尔定律就会就此打住。
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