M31携手台积电5奈米制程 发表MIPI C/D PHY Combo IP

M31宣布，其M31 MIPI C/D-PHY Combo IP 获台积电5奈米制程矽验证，并且已投入於3奈米制程的开发。

图一 : 台积电开放创新平台负责人Dan Kochpatcharin（左三）与M31研发??总洪志谦（右三）、北美区总经理邱国书（左一）及M3团队於台积电北美技术论坛合影

这款经验证的C-PHY和D-PHY IP能够支援高达每通道6.5G的高速传输模式，以及极低功耗操作，使其适用於高解析度成像、显示SoC，先进驾驶辅助系统(ADAS)和车用资讯娱乐系统等多种应用场景。这款IP的设计允许用户根据需求配置为D-PHY或C-PHY模式，通过共享部分电路设计进一步减少了晶片布局面积和I/O引脚的需求，并且支援交替低速资料模式(ALP)，显着提升传输效率的同时保持了极低的能耗，特别适合电池供电的移动设备使用。

本次M31於台积电2024年度北美技术研讨会(TSMC 2024 North America Technology Symposium)上展示两大产品线包含基础元件IP如Standard Cell、Memory Compiler、GPIO、Specialty I/O，以及目前应用市场上热度最高的高速传输介面IP如PCIe5.0 PHY、ONFi5.1 I/O、LPDDR4/4X PHY以及LPDDR5/5X PHY等。
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