英飛凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET

英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS CFD7，讓CoolMOS 7 系列更為完備。

圖一 : 英飛凌600 V CoolMOS CFD7效率較前一代產品和其他競爭產品高出 1.45%，結合了快速切換技術所有的優點和高整流耐用度，同時保有設計流程的簡易實作性。

新款 MOSFET 產品滿足高功率 SMPS 市場的諧振拓樸需求，為 LLC 和 ZVS PSFB 等軟切換拓撲提供領先業界的效率與可靠度，最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率 SMPS 應用。

600 V CoolMOS CFD7 為 CoolMOS CFD2 的接續產品。新 MOSFET 產品效率較前一代產品和其他競爭產品高出 1.45%，結合了快速切換技術所有的優點和高整流耐用度，同時保有設計流程的簡易實作性。600 V CoolMOS CFD7 除了降低閘極電荷 (Qg)，關斷行為亦獲得改善。此外，其逆回復電荷 (Qrr) 比市場上其他競爭產品少了 69%。600 V CoolMOS CFD7 提供了領先業界的插件式封裝(THD) 和表面接著封裝(SMD) 解決方案，支持高功率密度產品的設計需求。
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