英飛凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 適用於 PFC 與返馳拓撲

英飛凌科技股份有限公司CoolMOS P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新產品，符合最為嚴格的設計要求：適用於照明、智慧電錶、行動充電器、筆電電源供應器、輔助電源供應器，以及工業 SMPS 應用。此全新半導體解決方案提供優異的散熱與效率表現，可降低物料清單及整體生產成本。

圖一 : 英飛凌 950 V CoolMOSTM P7 超接面 MOSFET

950 V CoolMOS P7 提供極佳的 DPAK RDS(on)，有助於更高密度的設計。此外，優異的 VGS(th) 與最低點 VGS(th)容許值，讓 MOSFET的驅動與設計更為容易。類似於英飛凌領先業界的 P7 系列的其他產品，此裝置也整合了贊納二極體 ESD 防護。如此可帶來更好的組裝良率，因此降低成本，並減少ESD 相關生產問題的產生。

950 V CoolMOS P7 可提升多達 1% 的效率， MOSFET 溫度降低 2 至 10 C，有助於更高效率的設計。相較於前代 CoolMOS 產品，此款元件的切換損耗降低達 58%，與市場上同類技術相較，改善率超過50%。
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