英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET 新添PQFN封裝40V裝置

當代的電源系統設計需要高功率密度和精巧的外型尺寸，進而得到最高的系統級效能。英飛凌科技專注於強化元件級的系統創新，來應對上述挑戰。繼2月份推出25V裝置後，英飛凌再推出OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET，採用源極底置(Source-Down；SD)的PQFN封裝，尺寸為3.3 x 3.3mm²，適用於伺服器的SMPS、電信和OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。

圖一 : OptiMOS SD 40V低電壓功率MOSFET提供兩種版本：標準版和中央閘極版。中央閘極版針對多部裝置並聯作業進行最佳化。

英飛凌指出，SD封裝的內部採用上下倒置的晶片，如此一來，源極電位(而非汲極電位)就能透過導熱片連接至PCB。與現有技術相比，該封裝最終可使R_DS(on)銳減25%。

此外，與傳統PQFN封裝相比，接面與外殼間的熱阻(R_thJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS可承受高達194A的高連續電流。
...
...

使用者別	新聞閱讀限制	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10則/每30天	0則/每30天	付費下載
VIP會員	無限制	25則/每30天	付費下載