ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能

意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS）。

圖一 : 意法半導體推出全新MDmesh MOSFET，提升功率密度與效能

650V STP65N045M9與600V STP60N043DM9為首批上市的兩款元件，其單位面積的導通電阻（RDS(on)）非常低，可以最大限度提升功率密度，並有助於縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻（RDS(on)max）皆領先同類產品，STP65N045M9為45mΩ，STP60N043DM9則為43mΩ。由於閘極電荷（Qg）十分低，在400V汲極電壓時的典型值為80nC，兩款元件皆擁有目前市面上一流的RDS(on)max x Qg品質因數（FoM）。

STP65N045M9的閘極閾開啟電壓（VGS(th)）典型值為3.7V，STP60N043DM9的典型值則為4.0V，相較上一代的MDmesh M5和M6／DM6，可最大限度地降低開關損耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復電荷（Qrr）和反向恢復時間（trr）亦極低，有助於進一步提升效能和開關性能。
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