ST新款40V STripFET F8 MOSFET電晶體 具備節能降噪特性

意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極體之特性，降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊。

圖一 : 意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET電晶體

新型40V N溝道加強型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術達到卓越的品質因數。在閘源極電壓（VGS）為10V時，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG之最大導通電阻（Rds(on) ）分別為0.8mOhm和和0.75mOhm。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可採用節省空間且熱效率高的PowerFLAT 5x6封裝。

意法半導體先進STripFET F8技術開關速度十分出色，其低晶片電容可以最大限度降低柵漏電荷等動態參數，提升系統效能。設計人員可在600kHz至1MHz範圍內選擇開關頻率，以便於使用尺寸更小的電容和磁性元件，進而節省電路尺寸和物料清單成本，提升終端應用的功率密度。
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