Microchip抗輻射MOSFET獲得商業航太和國防太空應用認證

太空應用電源必須可以承受極端的太空環境，並在抗輻射技術環境中運作無礙，防止遭受到極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響失效發生事端，導致降低太空系統的效能並干擾運行。為滿足此一要求，Microchip今日宣佈其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）獲得商業航太和國防太空應用認證。

圖一 : Microchip抗輻射型M6 MRH25N12U3矽電晶體可以承受極端的太空環境，增強電源電路可靠性。

Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、馬達驅動和控制以及通用開關。這款MOSFET元件能夠承受惡劣的太空環境，增強電源電路的可靠性，並以更高的效能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求。

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用於未來的衛星系統，也可作為現有系統的備用電源。
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