安森美全新650V碳化矽MOSFET系列 滿足車規與工規應用需求

安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置，適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能。

圖一 : 安森美半導體全新系列的碳化矽MOSFET裝置，具備優異的開關和更高的可靠性，在各種挑戰性應用中提高功率密度。

安森美半導體新的車規AECQ101和工業級合格的650伏(V) SiC MOSFET基於一種新的寬能隙半導體，提供比矽更勝一籌的開關性能和更好的熱性能，因而提高系統級能效、功率密度，及減少電磁干擾(EMI)、系統尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp(Rdson* area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1採用D2PAK7L和To247封裝，具有市場最低的Rdson(12mOhm)。這技術還優化能量損失品質因數，從而優化了汽車和工業應用中的性能。
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