基於現今人工智慧（AI）時代需要更節能的運算，尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今（9）日於美國SEMICON WEST 2024展會，發表兩項新材料工程創新技術，旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點，以協助晶片製造商擴展到埃米時代，來提高電腦系統的每瓦效能。

圖一 : 應材Endura Copper Barrier Seed IMS( 銅阻障層晶種整合性材料解決方案) 與 Volta Ruthenium CVD（化學氣相沉積釕金屬系統）

據悉，目前最先進的邏輯晶片中共包含數百億個電晶體，經由長度超過96.5公里的微型銅線連接起來，數十年來低介電常數和銅一直是業界的主力佈線組合。但隨著產業規模微縮到2奈米及以下，更薄的介電材料會使晶片的機械結構強度變弱；而變窄的銅線，則會導致電阻急劇增加，進而降低晶片效能並增加能耗。

應材的Black Diamond材料數十年來便一直引領業界，利用低介電常數（或稱「k 值」）薄膜包裹銅線，並強化晶片的3D堆疊結構強度。藉此減少累積電荷、互連電網電阻，以免徒增功耗並導致電子訊號間彼此干擾。
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