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瑞萨公布新策略 预计达成两位数平均年成长率
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2010年10月28日 星期四

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瑞萨电子近日发表其强化功率半导体事业之新策略。瑞萨电子功率半导体事业规模约占该公司三大核心事业群中模拟及功率半导体(A&P)事业部门的四分之一。

瑞萨电子计划采取以下策略:

(1)强化从低电压至高电压功率半导体之产品内容

瑞萨电子将进一步强化2010年4月NEC电子与瑞萨科技合并所实现的广大产品内容,扩大从低电压至高电压的产品。瑞萨电子将在2013年3月以前开发约1,000项新产品,其中,在低电压半导体方面包括了低电压功率MOSFET及基本智能功率半导体(IPD);在高电压半导体方面则包括了高电压功率MOSFET、绝缘闸双极性晶体管(IGBT),及双向硅控整流器(TRIAC)。

(2)强化中国的销售结构

瑞萨电子将于中国推出全新的部门营销结构。包括设立四个销售团队,分别是家用设备、汽车、工业、及电池管理,A&P事业部门将与瑞萨电子中国分公司当地的企划、开发部门共同合作,开发中国专属的产品。瑞萨电子的中国营销人员人数亦将比2010会计年度开始时增加一倍,并计划实时供应最符合中国市场需求的产品。瑞萨电子预期2012会计年度的中国销售额将可增加为2010会计年度的1.5倍。

(3)扩大产能

瑞萨电子将同时强化其前段及后段制程生产线结构,包括将8吋晶圆厂生产线产能自2010至2012会计年度增加一倍,并提升马来西亚两座工厂的产能,同时透过中国的转包商扩大日本以外的生产。

透过上述策略,该公司预期2012会计年度A&P事业的年销售额将达到2010会计年度的1.2倍(2009会计年度的1.6倍),并持续达成两位数的平均年成长率,目标是成为全球功率半导体之领导供货商。

關鍵字: MOSFET  瑞薩電子 
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