账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
国内各DRAM厂制程竞赛加温
明年将导入0.14微米制程 生产256MB产品

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年09月05日 星期二

浏览人次:【1587】

茂德、华邦、力晶及南亚科技「制程竞争」愈演愈炽,4家厂商不约而同明年将主流制程由0.175微米导入0.14微米制程,生产256MB DRAM(动态随机存取内存)以上高阶产品,预计产能增加6成左右,芯片产出成本大幅降低。

国内4大DRAM厂今年纷纷引进0.175微米世代制程,产能明显增加,下半年营收不断提升,为维持竞争优势,茂德率先于今年7月开始转换0.175微米世代制程至0.14微米,试产128Mb及256Mb DRAM。

關鍵字: DRAM  茂德  华邦  力晶  南亚科技  动态随机存取内存 
相关新闻
台湾美光台中四厂正式落成启用 将量产HBM3E及其他产品
美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用
宇瞻看好印度制造 台湾首批MII的DRAM模组本月出货
美光发布 2023 年永续发展报告 与产业夥伴协作推动永续措施
Solidigm资料中心SSD具备高密度与效能
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK84UB8SOGSSTACUKJ
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw