立锜科技与宜特科技宣布一项MEMS检测合作成果，双方针对立锜积极开发的MEMS G-Sensor提出最佳分析除错解决方案。基于宜特建构出的一代MEMS G-Sensor标准失效分析流程，2013年双方已有成功的合作经验；2014年在二代MEMS分析技术，再度携手合作，顺利协助立锜在MEMS设计时间厘清失效因素，此分析技术更获得ISQED（国际质量电子设计研讨会）认可。

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随智能型产品、穿戴式装置与物联网的需求下，MEMS G-Sensor组件需求量逐步放大，IC设计公司积极布局，渴望取得市场先机，占有一席之地。

「立锜是IC设计公司中积极布局MEMS的厂商之一，宜特与立锜长期共同合作，从产品研发至试产阶段，厘清MEMS G-Sensor失效因素，提供全方位整合服务，协助立锜加快设计、产品设计定案与产品上市的时程。」宜特科技故障分析工程处处长许如宏表示。

许如宏进一步指出，宜特运用二代MEMS分析技术，顺利的将MEMS G-Sensor「全质量块」在无应力状态下移除，移除后即观察到底层「固定质量块」下方的接合处毁损；该失效异常点与电子异常讯号，经检测后为一致，即为失效真因。

立锜科技品保处处长翼景云表示：「双方长期在产品可靠度与失效分析的合作基础上，此次立锜在投入MEMS G-Sensor产品开发之时，在设计时间即紧密合作，宜特提供许多专业性的建议与支持，其快速且完整的MEMS最佳解决方案，实是立锜在MEMS产品验证上的重要伙伴之一。」（编辑部陈复霞整理）

图:在iST宜特MEMS二代失效分析下，可观察出失效G-Sensor组件结构接合处毁损。