许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用。

采用TO247-4封装的 CoolSiC 萧特基二极体2000 V G5

新款产品系列采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装，爬电距离为14 mm，间隙距离为5.4 mm，再加上高达80 A的额定电流，显着提升功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水准，而元件数量仅为1200 V SiC 解决方案的一半。得以简化整体设计，实现从多电平拓扑结构到2电平拓扑结构的平稳过渡。此外，CoolSiC萧特基二极体2000V G5采用.XT互连技术，大幅降低热阻和阻抗，实现更好的热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试也证明该二极体对湿度的耐受性。该二极体没有反向或正向恢复电流，且具有正向低电压的特点，确保优化系统性能。

2000 V二极体系列与英飞凌於2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC二极体2000 V产品组合将透过提供TO-247-2封装而得到扩展，该封装将於2024年 12月推出。此外，英飞凌还提供与CoolSiC MOSFET 2000 V匹配的闸极驱动器产品组合。采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC萧特基二极体2000 V G5系列及其评估板现已上市。