英飛凌科技股份有限公司今日在 2013 應用電力電子研討會暨展覽會 (APEC) 中宣佈推出 DrBlade：全球第一款採用創新晶片嵌入式封裝技術的整合式 DC/DC 驅動器及 MOSFET VR 功率級(power stage)。DrBlade 包含最新一代的低壓 DC/DC 驅動器技術及 OptiMOS MOSFET 元件。MOSFET 技術擁有最低的導通阻抗及應用最佳化的優值係數，能達到最高的 DC/DC 穩壓應用效率，適用於電腦及電信，包括刀鋒(Blade)及機架式(Rack)伺服器、電腦主機板、筆記型電腦及遊戲機等。

DrMOS BigPic:600x642

全新的 Blade 封裝技術

英飛凌創新的 Blade 封裝技術，採用晶片嵌入概念，使用電鍍製程以取代標準的封裝製程，例如打線、夾焊以及常見的成形技術。此外，晶片也加以層壓介質(laminate foil)保護，使裝置得以大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時亦降低熱阻。

英飛凌低壓功率轉換資深協理 Richard Kuncic 表示：「英飛凌是業界第一家推出採用 Blade 技術的整合式驅動器及 MOSFET 半橋的半導體公司。DrBlade 的推出，可提升伺服器應用在全負載範圍的效率，再度證明我們在功率半導體產業的領導地位。」

省空間、高效率

DrBlade 封裝面積為 5x5mm，高度僅 0.5mm，可滿足電腦系統對於更高的功率密度及省空間的需求。DrBlade 擁有最佳化的針腳規劃，可簡化 PCB 佈線。採用全新的晶片嵌入式封裝技術，再結合英飛凌的 OptiMOS MOSFET，使 DrBlade 成為低電壓市場最佳的解決方案。