CTIMES- SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸

藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，将会影响电动车（EV）的电力系统及制造流程中的热性能、系统重量、尺寸和成本。本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。

随着电动车（EV）制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈，电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，来提升续航里程并增加竞争优势。效率与较低的功率损耗有关，而这会影响热性能、系统重量、尺寸和成本。降低功率损耗的需求将随着开发功率更高的逆变器而持续存在，尤其是在这每辆汽车的马达数量增加以及卡车转向纯电动车发展的现况下。

牵引逆变器长久以来使用绝缘栅双极电晶体（IGBT）。不过，随着半导体技术进步，碳化矽（SiC）金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）不仅能够提供比IGBT更高频率的开关能力，还能透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。
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