意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数

意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项。

图一

MDmesh M2系列产品拥有先进的超接面技术，具有比上一代产品更低的导通电阻（RDS(ON)），以及更低的闸极电荷（QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss）。此外，这些产品更进一步降低了能源消耗和热散逸（heat dissipation），让开发人员能够更快地设计出更高效的产品。

同时，与市场现有的600V典型产品相比，意法半导体的新产品将崩溃电压提高至650V，确保新产品具有更高的安全系数，让设备厂商能够设计更稳固且更可靠的系统。
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