账号:
密码:
CTIMES / 崩潰電壓
科技
典故
攀上传输顶巅──介绍几个数字显示接口标准

当传输技术进入数字时代之后,用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重,结合显示适配器硬件的数字显示接口标准,其发展进度因而更受到瞩目。
意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化,同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极(drain-to-source)崩溃电压(breakdown voltage)的电晶体,并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中
Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通导电阻与广泛封装范围 (2015.03.10)
高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列,具备广泛的封装选项以及最低的通导电阻(Rdson)与输出电容(Coss)。全新产品阵容协助设计人员针对需要600V / 650V以上的崩溃电压的高效能解决方案,改善效率、成本效益与可靠度,更减少了组件数量,精简机板空间,为设计人员带来更大的弹性
意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求,同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项

  十大热门新闻

AD

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw