IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装

国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计，适用於先进的电讯与网路通讯设备、伺服器、显示卡、桌上型电脑、超轻薄笔电（Ultrabook） 及笔记型电脑等12V输入DC-DC同步降压应用，为DC-DC应用提供高密度精密解决方案。

图一

IRFH4257D配备IR新一代矽技术和专用封装技术，以精密的4×5功率模块提供温度效能、低导通电阻（RDS(on)）与闸极电荷（Qg），带来一流的功率密度和更低的开关损耗。

IR亚太区销售??总裁潘大伟表示：「IRFH4257D与IR其他FastIRFET元件一样，可与各种控制器或驱动器搭配操作，为单相位或多相位应用提供设计灵活性，同时实现更高的电流、效率和频率。现在产品系列增添了 IRFH4257D，设计人员便可选择4×5或5×6 PQFN封装以满足其设计要求。」
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