Power Integrations (NASDAQ：POWI)，这家节能型功率转换领域的高压积体电路领导厂商，今日展示了其 PowiGaN 氮化??技术对於新一代 AI 资料中心的优点。Power Integrations 在圣荷西举办的 2025 OCP Global Summit 上发布的新白皮书说明了 1250 V 和 1700 V PowiGaN 技术对於 800 VDC 电源架构的优势，NVIDIA 在本次大会上提供了 800 VDC 架构的更新。Power Integrations 正与 NVIDIA 携手合作加速转向 800 VDC 电源与兆瓦级机架。

公司正与 NVIDIA 就 800 VDC 电源架构展开协作；新的白皮书展示了 1250 V PowiGaN 技术相较 650 V GaN 和 1200 V SiC 的优势

新的白皮书详细介绍了 Power Integrations 业界首款 1250 V PowiGaN HEMTs 的效能优势，说明了其经过实地验证的可靠性及满足 800 VDC 架构功率密度和效率要求 (>98%) 的能力。 此外，该白皮书还展示了单个 1250 V PowiGaN 切换开关提供了比堆叠式 650 V GaN FETs 与竞品 1200 V SiC 装置更高的功率密度和效率。

此白皮书还强调了 Power Integrations 的 InnoMux2-EP IC 成为 800 VDC 资料中心辅助电源供应器的唯一解决方案。 InnoMux-2 装置的整合式 1700 V PowiGaN 切换开关支援 1000 VDC 输入电压，同时，其 SR ZVS 运作在液冷、无风扇 800 VDC 架构中提供超过 90.3% 的 12 V 系统效率。

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“随着 AI 电力需求的增长，转向 800 VDC 输入可简化机架设计，更有效地利用空间并减少铜使用量，”Power Integrations 产品开发??总裁 Roland Saint-Pierre 说道。 “鉴於机架功率要求的攀升，我们将 1250 V 与 1700 V PowiGaN 装置视作主要和辅助电源供应器的理想选择，提供 800 VDC 资料中心所需的效率、可靠性和功率密度。”

Power Integrations，这家批量生产高压 1250 V 与 1700 V GaN 切换开关的唯一供应商，於 2018 年推出其首款 GaN IC，目前在最终产品中有超过 1.75 亿个 GaN 切换开关正在使用当中，这些产品从快速充电器到资料中心再到电动车辆，不一而足。

如需获取有关 Power Integrations 用於 AI 资料中心的 PowiGaN 技术的更多资讯并检阅名为《用於 800 VDC AI 资料中心架构的 1250 V / 1700 V PowiGaN》(1250 V / 1700 V PowiGaN for 800 VDC AI Data Center Architecture) 的白皮书，请造访此处：https://www.power.com/ai-data-center。若要阅读 NVIDIA 有关 800 VDC 的技术部落格，请造访https://blogs.nvidia.com/blog/gigawatt-ai-factories-ocp-vera-rubin/。