英特尔公开多项技术突破，为公司未来的制程蓝图保留了创新发展，凸显摩尔定律的延续和进化。在今年 IEEE 国际电子元件会议（IEDM）上，英特尔研究人员展示了结合晶片背部供电和直接背部接触的3D堆叠 CMOS（互补金属氧化物半导体）电晶体的最新进展，同时分享了最新晶片背部供电（例如背部接触）的研发突破，并在同一片300mm（12寸）晶圆、而非在封装上成功展示整合矽电晶体与氮化??（GaN）电晶体的大规模3D单晶。

英特尔展示下世代电晶体微缩技术突破，将应用於未来制程节点

全球对於运算的需求呈现指数型增长，电晶体微缩和晶片背部供电是有助於满足此运算需求的两大关键。英特尔满足了这样的运算需求，其创新将继续推动半导体产业的发展，亦是摩尔定律的基石。英特尔的元件研究团队不断突破工程限制，透过堆叠电晶体，将晶片背部供电推升到新境界，以实现更多的电晶体微缩和性能改善，同时也证明由不同材料制成的电晶体可以整合在同一晶圆上。

最近发布的制程技术蓝图，强调了英特尔在持续微缩方面的创新，包括PowerVia晶片背部供电技术、用於先进封装的玻璃基板和Foveros Direct封装技术，这些技术皆源於英特尔元件研究团队，预计将在2030年前投入生产。

在 IEDM 2023大会上，英特尔的元件研究团队展现对创新的坚持，开拓全新方式，在矽晶片上置入更多电晶体，实现更高性能。研究人员已确立如何透过有效堆叠电晶体、持续达成微缩的关键研发领域，再结合晶片背部供电和背部接触技术，推动电晶体架构技术发展。除了改善晶片背部供电和采用新型二维电子通道材料（2D channel materials），英特尔也将致力延续摩尔定律，在2030年达成单一封装内含1兆个电晶体。