三星電子今日宣布，已開發出業界首個12層的3D-TSV（Through Silicon Via）技術。此技術透過精確的定位，把12個DRAM晶片以超過6萬個以上的TSV孔，進行3D的垂直互連，且厚度只有頭髮的二十分之一。

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三星指出，該技術封裝的厚度（720um）與目前的第二代8層高頻寬記憶體（HBM2）產品相同，能協助客戶推出具有更高性能與容量的次世代儲存產品，且無需更改其系統配置。

此外，新3D封裝技術還具有比現有的引線鍵合技術短的晶片間數據傳輸時間，能顯著提高速度並降低功耗。

三星電子TSP（測試與系統封裝）執行副總裁Hong-Joo Baek表示，隨著各種新的高性能應用的出現（如AI和HPC），能整合所有複雜的超高性能記憶體的封裝技術變得越來越重要。隨著摩爾定律達到其極限，預計3D-TSV技術的作用將變得更加關鍵。

此外，透過將堆疊層數從8個增加到12個，三星表示將很快能夠量產24 GB高頻寬記憶體，其容量是當今市場上8GB的三倍。